Вернуться к статье
Расчет параметров профиля концентрации при ионном легировании путем нахождения минимума целевой функции методом Давидона-Флетчера-Пауэлла
Рисунок 1 - Схематическое изображение численной модели для имплантации в многослойные структуры
C1(x) – профиль концентрации в материале 1 (SiO2) [маска];
C2(x) – профиль концентрации в материале 2 (Si) [подложка];
N0 – количество ионов примеси на глубине