Return to article

Расчет параметров профиля концентрации при ионном легировании путем нахождения минимума целевой функции методом Давидона-Флетчера-Пауэлла

Рисунок 1 - Схематическое изображение численной модели для имплантации в многослойные структуры

Схематическое изображение численной модели для имплантации в многослойные структуры

C1(x) – профиль концентрации в материале 1 (SiO2) [маска];

C2(x) – профиль концентрации в материале 2 (Si) [подложка];

N0 – количество ионов примеси на глубине